0 Item(s)
0 Item(s)
Electro-Films (EFI) / Vishay
| Pjesa e Numrit | SI4477DY-T1-GE3 | prodhues | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Përshkrim | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC | Statusi i Lirë i Plumbit / RoHS | Pa plumb pa përputhshmëri me RoHS |
| Sasia e disponueshme | 93710 pcs | Fleta e të dhënave | SI4477DY-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| teknologji | MOSFET (Metal Oxide) | Paketa e Pajisjes Furnizuese | 8-SO |
| seri | TrenchFET® | RDS Në (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Shpërndarja e fuqisë (Max) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) | paketim | Tape & Reel (TR) |
| Paketa / Rasti | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Emra të tjerë | SI4477DY-T1-GE3-ND SI4477DY-T1-GE3TR SI4477DYT1GE3 |
| Temperatura e punës | -55°C ~ 150°C (TJ) | Lloji i montimit | Surface Mount |
| Niveli i ndjeshmërisë së lagështisë (MSL) | 1 (Unlimited) | Statusi i Lirë i Plumbit / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 10V | Ngarkesa e Portës (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Lloji FET | P-Channel | FET Feature | - |
| Tensioni i rrotullimit (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Drain to Voltage Burimi (Vdss) | 20V |
| pershkrim i detajuar | P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO | E tanishme - Drain vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C | 26.6A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Nga 35,00 dollarë tarifa bazë e transportit varet nga zona dhe vendi. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Nga 35,00 dollarë tarifa bazë e transportit varet nga zona dhe vendi. |
| UPS | www.UPS.com | Nga 35,00 dollarë tarifa bazë e transportit varet nga zona dhe vendi. |
| TNT | www.TNT.com | Nga 35,00 dollarë tarifa bazë e transportit varet nga zona dhe vendi. |
